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格棋化合物半導體股份有限公司-個股新聞


格棋 秀大尺寸SiC材料解決方案...

 SEMICON Taiwan 2025格棋化合物半導體公司大秀最新大尺寸SiC材 料解決方案,聚焦晶體缺陷密度與結構完整性的突破,回應業界對高 可靠度、高一致性SiC晶圓迫切需求。

  今年半導體展,格棋推出最新研製成果,包括原始粉體、8吋導電 、半絕緣晶棒與晶圓,體現從原料到晶圓垂直整合能力,彰顯格棋S iC材料應用已從實驗室跨入量產的新里程碑。

  ■低缺陷密度 8吋SiC主戰場

  隨著電動車、高頻通訊與衛星應用擴張,8吋SiC晶圓成新一代功率 元件材料核心。然而,「尺寸放大」本身並非技術終點,更嚴峻的挑 戰是晶體缺陷控制。格棋針對常見的微管、堆疊錯位、基底位錯等問 題,建構出一套跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制到結晶動態調控 製程策略,有效將缺陷密度壓低至102/cm2以下,大幅提升晶圓可用 率與客戶加工良率。

  今年格棋展出的五項實體成果,涵蓋高純度粉體、8吋半絕緣與導 電型晶棒及晶圓,展現從原料端控制碳矽比例與熱流均勻性,進而降 低晶體內部壓力與多晶型生成率。

  不論用於雷達與微波通訊高頻元件,或車用主驅動模組與能源逆變 器,格棋均能提供可驗證、可交付的材料方案,協助客戶更快進入新 產品認證流程。

  ■打造差異化本土SiC供應鏈

  在全球8吋SiC晶圓仍多停留於實驗線階段之際,格棋已具備6吋Si C晶圓穩定量產能力,並完成8吋晶棒與晶圓的製程實證,成為台灣少 數真正跨越技術門檻的業者。透過整合日本與台灣長晶模組技術,格 棋建立一套高重現性製程平台,包含種晶端純化處理、粉體雜質控制 、碳包覆抑制技術與熱場模擬,確保晶體成長過程中結構穩定性與應 力釋放曲線。

  值得注意的,格棋在8吋導電型晶圓的成長穩定性已逐步接近試量 產標準,將可支援車用功率模組、工業電源與儲能系統的高壓高流需 求。另一方面,8吋半絕緣型晶圓則聚焦於雷達、射頻與航太通訊等 具備訊號精度與散熱挑戰的高端應用,高附加價值成果難能可貴。

  ■吳義章博士獲SEMI半導體新銳獎

  展會另一亮點,格棋業務處長吳義章博士榮獲SEMI Taiwan主辦之 「20 Under 40 半導體新銳獎」,表彰其在第三類半導體材料產業推 動上的技術深耕與市場落地表現。格棋創業初期吳義章即參與技術規 劃與客戶驗證,也是「可交付材料文化」重要推手,促成團隊短時間 內完成從研發導向快速跨越到客戶認證。

  面對產業鏈重組,客戶對材料供應商高度疑慮下,格棋以「晶圓品 質就是品牌信任」策略受到市場肯定,吳義章博士做出傑出貢獻,獲 頒本屆SEMI半導體新銳獎。

  ■打造本土技術護城河 主導產業

  格棋強調,全球第三類半導體供應鏈重組,歐洲強化本地製造、中 國低價搶市、美國祭出IRA戰略自主牌,未來台灣要扮演關鍵供應角 色,勢必要從代工轉型材料供應主導者。

  作為材料起家的技術型新創企業,格棋將持續推進可量產、可驗證 、可信賴的SiC製造體系,逐步建立台廠的技術護城河。今年半導體 展是格棋向全球宣示「低缺陷、高交付、在地製造」大戰略目標。

2025-09-10

By: 摘錄工商SA 7

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