隨著AI算力需求提升，AI晶片單一封裝尺寸逐漸擴大。然而，傳統有機基板在高溫下容易產生翹曲（warpage）問題，進而影響良率，成為大尺寸先進封裝的關鍵瓶頸。為此，各大封裝廠積極布局下一代材料—玻璃，希望藉其優異的熱學和機械特性克服相關挑戰。

　　然而，隨著單一封裝尺寸增加，方形晶片越來越難有效貼合圓形晶圓，導致晶圓邊緣的耗損面積比例上升。業界因此改採面板級封裝（ PLP），透過方形面板提升面積使用率。

　　此外，大尺寸封裝若沿用傳統的有機基板，在回焊（reflow）加熱過程可能出現翹曲，降低整合良率。因此，表面平整且熱膨脹係數（ CTE）與矽相近的玻璃，成為取代有機材料作為中介層和載板的理想方案。

　　觀察玻璃基板優勢，玻璃的熱膨脹係數約3～9 ppm/℃，矽則約2. 6 ppm/°C，和兩者更加匹配，能在大尺寸封裝時保持良率穩定。而玻璃為優良的絕緣體，介電常數和耗損皆較低，在高速傳輸時也能保持訊號完整。加上玻璃有極高的表面平整、光滑度，可實現更精細的線寬／線距（L/S）。

　　目前台灣、韓國、日本、美國各大晶圓廠和OSAT皆新增玻璃載板和玻璃中介層產品線。如台積電計畫2026年建置310x310 mm尺寸的CoP oS（Chip-on-Panel-on-Substrate）實驗產線，並於2028-2029年間量產。CoPoS將玻璃作為中介層，對熱膨脹係數的要求更嚴格，且厚度僅有玻璃載板的一半，研發難度更高。

　　英特爾也積極發展，2023年宣布推出業界首款用於下一代先進封裝的玻璃載板，預計2026至2030年間量產。

　　「SeWaRe」是目前玻璃基板最大的量產挑戰，意指在玻璃鑽孔、切割過程出現的微裂痕 （micro-crack）。因玻璃具有脆性，一旦玻璃基板出現微裂紋，該處易成為應力集中點，導致基板在後續測試和封裝過程斷裂。

　　為降低SeWaRe發生機率，目前主流玻璃基板製程包括玻璃通孔、樹脂層層壓、種子層濺鍍，和金屬層電鍍。其中，玻璃通孔（TGV）是在玻璃內部作雷射改質（Laser Modification），再進行選擇性濕蝕刻，形成通孔分散壓力。樹脂層層壓則是在玻璃表面壓合一層樹脂緩衝層，避免晶片上的銅線與玻璃接觸後熱漲冷縮而破裂。

　　玻璃基板製程中，主要半導體設備與材料多由歐、美、日大廠掌握，如提供TGV通孔設備的LPKF、提供Low CTE玻璃的SCHOTT、Corning 等。台廠鈦昇則於2024年成立台灣「E-Core System」玻璃基板供應商聯盟，成員橫跨TGV通孔、蝕刻、濺鍍、電鍍、檢測等廠商。

　　儘管目前玻璃基板的核心技術與高階設備仍由外國大廠主導，但台廠藉由垂直整合力求突破，若能掌握台積電CoPoS設備在地化採購趨勢，或於2026年小量量產時建立標竿案例，抑或與具備核心技術的外國大廠結盟，可望在玻璃基板供應鏈中扮演更重要角色。